P157R5NT

Наименование производителя: SVGP157R5NT    Маркировка: P157R5NT    Тип транзистора: MOSFET    Полярность: N    Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 260 W    |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V    |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V    |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V    |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A    Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C    Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 74 nC    tr ⓘ - Время нарастания: 48 ns    Cossⓘ - Выходная емкость: 689 pf    Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.