−10%
NNCE· все товары бренда
NCEP026N10T
Наименование производителя: NCEP026N10T Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 230 A Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 240 nC tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.
026N10T
27 000 сум30 000 сум−10%
Вернётся + 5 сум кешбеком (0.02%)
1
Описание
Наименование производителя: NCEP026N10T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 230 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 240 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0026 Ohm
Тип корпуса: TO-247
Доставка и оплата
Характеристики
| Бренд | NCE |
|---|---|
| Категория | MOSF и IGBT |