−14%
NNCE· все товары бренда
NCE40TD120VT
Наименование: NCE40TD120VT Тип транзистора: IGBT + Diode Тип управляющего канала: N Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 468 W |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃ |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.
60 000 сум70 000 сум−14%
Вернётся + 12 сум кешбеком (0.02%)
1
Описание
Наименование: NCE40TD120VT
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 468 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 17 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 177 pF
Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 298 nC
Тип корпуса: TO247
Доставка и оплата
Характеристики
| Бренд | NCE |
|---|---|
| Категория | MOSF и IGBT |