Sam_Rem_Bit
−13%
TToshiba· все товары бренда

K3878

Наименование производителя: 2SK3878    Маркировка: K3878    Тип транзистора: MOSFET    Полярность: N    Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W    |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V    |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V    |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V    |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A    Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C    Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 60 nC    tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns    Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf    Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.
25 900 сум30 000 сум−13%
Вернётся + 5 сум кешбеком (0.02%)
1

Описание

Наименование производителя: 2SK3878

   Маркировка: K3878

   Тип транзистора: MOSFET

   Полярность: N

   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V

   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 60 nC

   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf

   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm

   Тип корпуса: SC65 TO3P

 

Характеристики

БрендToshiba
КатегорияMOSF и IGBT
Есть вопросы о товаре?AI-ассистент на связи — поможет с выбором, расскажет о доставке и оплате.Спросить
25 900 сум30 000 сум