−3%
K3767
Наименование производителя: 2SK3767 Маркировка: K3767 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 9 nC tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.
13 500 сум14 000 сум−3%
Вернётся + 2 сум кешбеком (0.02%)
1
Описание
Наименование производителя: 2SK3767
Маркировка: K3767
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 9 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.5 Ohm
Тип корпуса: TO220SIS
Доставка и оплата
Характеристики
| Категория | MOSF и IGBT |
|---|