60T65PES

Наименование: MBQ60T65PES
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: 60T65PES
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 428 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃

   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V

   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 54 nS

   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 270 pF

   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 95 nC

   Тип корпуса: TO247