MDF13N50B
Наименование производителя: MDF13N50BTH Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41 W |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 27 nC tr ⓘ - Время нарастания: 47 ns Cossⓘ - Выходная емкость: 174 pf Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.
Наименование производителя: MDF13N50BTH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 27 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 47 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 174 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
Тип корпуса: TO-220F