−13%
TToshiba· brendning barcha mahsulotlari
K3878
Наименование производителя: 2SK3878 Маркировка: K3878 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 60 nC tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.
25 900 so'm30 000 so'm−13%
Qaytariladi + 5 so'm keshbek (0.02%)
1
Tavsif
Наименование производителя: 2SK3878
Маркировка: K3878
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 60 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm
Тип корпуса: SC65 TO3P
Yetkazib berish va to‘lov
Xususiyatlar
| Brend | Toshiba |
|---|---|
| Kategoriya | MOSF и IGBT |