K3767

Наименование производителя: 2SK3767    Маркировка: K3767    Тип транзистора: MOSFET    Полярность: N    Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W    |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V    |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V    |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V    |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A    Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C    Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 9 nC    tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns    Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf    Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.