Sam_Rem_Bit
Mahsulotlarni qidirish
−3%

K3767

Наименование производителя: 2SK3767    Маркировка: K3767    Тип транзистора: MOSFET    Полярность: N    Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W    |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V    |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V    |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V    |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A    Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C    Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 9 nC    tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns    Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf    Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.
Hozircha sharhlar yo'q — birinchi bo'ling
13 500 so'm14 000 so'm−3%
Qaytariladi + 2 so'm keshbek (0.02%)
1

Tavsif

Наименование производителя: 2SK3767
   Маркировка: K3767
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 9 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220SIS

Xususiyatlar

KategoriyaMOSF и IGBT
Mahsulot haqida savollaringiz bormi?AI-yordamchi aloqada — tanlashda yordam beradi, yetkazib berish va to'lov haqida aytib beradi.So'rash
13 500 so'm14 000 so'm