G40T60AN3H

Наименование: CRG40T60AN3H
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: G40T60AN3H
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 47.2 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 141 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 239 nC
   Тип корпуса: TO3PN