−9%
G020N04
Наименование производителя: HYG020N04NA1P Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 220 A Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C tr ⓘ - Время нарастания: 79 ns Cossⓘ - Выходная емкость: 820 pf Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.
14 500 so'm16 000 so'm−9%
Qaytariladi + 2 so'm keshbek (0.02%)
1
Tavsif
Наименование производителя: HYG020N04NA1P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 220 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 79 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 820 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0023 Ohm
Тип корпуса: TO220
Yetkazib berish va to‘lov
Xususiyatlar
| Kategoriya | MOSF и IGBT |
|---|