FQPF7N80C
Наименование производителя: FQPF7N80C Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.
Наименование производителя: FQPF7N80C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 27 nC
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.9 Ohm
Тип корпуса: TO220F