Sam_Rem_Bit
−10%

FQPF7N80C

Наименование производителя: FQPF7N80C    Тип транзистора: MOSFET    Полярность: N    Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W    |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V    |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V    |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V    |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.
13 500 so'm15 000 so'm−10%
Qaytariladi + 2 so'm keshbek (0.02%)
1

Tavsif

Наименование производителя: FQPF7N80C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 27 nC
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.9 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

Xususiyatlar

KategoriyaMOSF и IGBT
Mahsulot haqida savollaringiz bormi?AI-yordamchi aloqada — tanlashda yordam beradi, yetkazib berish va to'lov haqida aytib beradi.So'rash
13 500 so'm15 000 so'm