−6%
FQP13N50C
Наименование производителя: FQP13N50C Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 195 W |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 43 nC Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.
15 000 so'm16 000 so'm−6%
Qaytariladi + 3 so'm keshbek
1
Tavsif
Наименование производителя: FQP13N50C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 195 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 43 nC
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.48 Ohm
Тип корпуса: TO220
Yetkazib berish va to‘lov
Xususiyatlar
| Kategoriya | MOSF и IGBT |
|---|