Sam_Rem_Bit
Mahsulotlarni qidirish
−6%

FQP13N50C

Наименование производителя: FQP13N50C    Тип транзистора: MOSFET    Полярность: N    Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 195 W    |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V    |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V    |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V    |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A    Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C    Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 43 nC    Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.
Hozircha sharhlar yo'q — birinchi bo'ling
15 000 so'm16 000 so'm−6%
Qaytariladi + 3 so'm keshbek (0.02%)
1

Tavsif

Наименование производителя: FQP13N50C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 195 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 43 nC
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.48 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

Xususiyatlar

KategoriyaMOSF и IGBT
Mahsulot haqida savollaringiz bormi?AI-yordamchi aloqada — tanlashda yordam beradi, yetkazib berish va to'lov haqida aytib beradi.So'rash
15 000 so'm16 000 so'm