−8%
FHP20N50
Наименование производителя: FHP20N50A Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 50 nC tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.
11 000 so'm12 000 so'm−8%
Qaytariladi + 2 so'm keshbek (0.02%)
1
Tavsif
Наименование производителя: FHP20N50A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 50 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Yetkazib berish va to‘lov
Xususiyatlar
| Kategoriya | MOSF и IGBT |
|---|