F8788

Наименование производителя: IRF8788

   Тип транзистора: MOSFET

   Полярность: N

   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V

   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.35 V

  |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A

   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 44 nC

   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

   Cossⓘ - Выходная емкость: 980 pf

   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm

   Тип корпуса: SO8