24N90
Наименование производителя: IXFX24N90Q Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 481 W |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.
Наименование производителя: IXFX24N90Q
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 481 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 170 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm
Тип корпуса: PLUS247